微型PECVD系统-安徽贝意克
微型PECVD系统BTF-1200C-S-PECVD详细介绍：
微型PECVD系统，它包括小型真空管式炉，石英真空室、真空抽气与真空测量系统、气路系统、射频电源系统、物料喷射系统。电源范围宽：0-100W可调； 温度范围宽：100-1200度可调；溅射区域宽：0-600mm可调；适用范围宽:金属薄膜，陶瓷薄膜等，复合薄膜，连续生长各种薄膜等。增加功能容易，可扩展等离子清洗刻蚀等功能。
微型PECVD系统BTF-1200C-S-PECVD采用了甚高频技术，大大的提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达10Å/S，并且采用了先进的多点射频馈入技术，特殊气路分布和加热技术等，使得薄膜均匀性指标达到8%；高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定；用半导体行业的先进设计理念，使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%；选配物料喷射系统，可将原料直接喷射到反应区。
【技术参数】
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真空管式炉
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炉管尺寸：
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外径Φ50×700mm
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极限温度：
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1200℃
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温度控制器：
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PID自动控制晶闸管（可控硅）输出功率，30段可编程控制器
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最快升降温速率：
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60℃
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加热区：
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230mm
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恒温区：
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100mm
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温度精度：
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±1℃
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电源：
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单相220V,交流50Hz
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多通道流量计控制系统
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标准量程：
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100，200SCCM；（以氮气标定，除以上标准外量程可选）
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准确度：
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±1.5%
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工作压差范围：
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0.1～0.5 MPa
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最大压力：
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3MPa
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接头类型：
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Φ6双卡套不锈钢接头
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高真空系统
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泵体积流量N2：
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33 L/S
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压缩比：
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≥1011mbar
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实验真空值：
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≤10-6mbar
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功率消耗：
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140W
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启动时间：
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2min
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电源要求：
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185-265V AC
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射频电源
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信号频率：
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13.56MHz±0.005%W
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功率输出范围：
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0-100W
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最大反射功率：
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10W
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